GaN несогласованный транзистор компании RF Micro Devices

    

<< Назад, к списку новостей    Дата: 2010-12-01

---

   Компания RF Micro Devices, ведущий разработчик и изготовитель радиочастотных компонентов и полупроводников, представила 75 Вт нитрид галлиевый (GaN) несогласованный транзистор RF3932, имеющий высокий КПД и превосходящий по характеристикам транзисторы, выполненные по арсенид галлиевой (GaAs) и кремниевой технологии. Компонент предназначен для работы в диапазоне частот от 0 до 3 ГГц. Пиковое значение КПД составляет более 65%. На базе GaN процесса компании RFMD могут быть созданы малогабаритные и высокоэффективные усилители мощности для таких приложений как частная мобильная связь, 3G/4G беспроводная инфраструктура, ISM, военные и гражданские радары, а также сети передачи CATV.

   Источник

---

Комментарии:

Нет ни одного комментария. Ваш будет первым!

---

Добавить комментарий:

	Ваше имя:
	Комментарий:
	Защита от автозаполнения:

---

---

Все подробности Внедорожник прокат у нас на сайте.

---