| ||||
|
ÐÐÐÐÐÐÐåÑ Vishay ÑÐÑÑÐåÑÐåÐÐ ÐÐåÐÐÐÐÑ ÑÐåÐÐÐÑÑ ÐÑÐÐÑÐÑÐÐ, ÐÑÐÑÑÑÐåÐ MOSFET-ÑÑÐÐÐÐåÑÑÐÑÑ Ð ÐÐÑÐÑÑÐ PowerPAK | ||||
|
Àêêóðàòíîå îòêðûòèå ìàøèíû - èíñòðóìåíò äëÿ àâàðèéíîãî îòêðûòèÿ www.tube-city.ru. |
ÐÐÐÐÐÐÐåÑ Vishay ÑÐÑÑÐåÑÐåÐÐ ÐÐåÐÐÐÐÑ ÑÐåÐÐÐÑÑ ÐÑÐÐÑÐÑÐÐ, ÐÑÐÑÑÑÐåÐ MOSFET-ÑÑÐÐÐÐåÑÑÐÑÑ Ð ÐÐÑÐÑÑÐ PowerPAK
ÐÐÑÐÐÑÐÑÐåÑ Vishay Intertechnology, Inc ÐÑÐÐÐÐÐÐÐÑ ÐÐÐÑÐ p-ÐÐÐÐÐÑÐÑÐ ÑÐåÐÐÐÑÐ MOSFET-ÑÑÐÐÐÐåÑÑÐÑÑ Ð ÐÐÑÐÑÑÐÑ PowerPAK 1212-8 Ðå PowerPAK 1212-8S Ñ ÐÐÐÑÑÐÐÐÐåÐÐ ÑÑÐÐ-ÐåÑÑÐÐ -40 Ð Ðå -30 Ð ÑÐÐÑÐÐÑÑÑÐÐÐÐÐ, ÐåÐÐÐÑÐÐÐÐÐÐÑÐ ÐÐ ÑÐÑÐÐÐÐÐÐåÐå TrenchFET Gen III. ÐÐÑÐÐÑÐÑÐåÐÑÑÑÑ ÐÑÐÐÑÑÐÐÐÐÐ-ÐÐåÐÐÐåÐ ÑÐÐÑÐÑÐåÐÐÐÐÐåÐÐ Ð ÐÑÐÑÑÑÐÐ ÑÐÑÑÐÑÐÐåÐå ÐÑÐå ÐÐÐÑÑÐÐÐÐåÑÑ ÐÐÑÐÐÑ-ÐåÑÑÐÐ -10 Ð Ðå -4.5 Ð, ÑÑÐÐÐÐåÑÑÐÑ Vishay Siliconix SiS443DN ÑÐÐÑÐÑÑÑ ÐÐÑÐÑÐ -40 Ð p-ÐÐÐÐÐÑÐÑÐ Gen III ÑÑÑÑÐÐÑÑÐÐÐ, Ð ÑÐ ÐÑÐÐÑ ÐÐÐ SiSS27DN ÐÐÑÐÑÐ -30 Ð MOSFET-ÑÑÐÐÐÐåÑÑÐÑÐÐ Ð ÐÐÑÐÑÑÐ PowerPAK 1212-8S. SiS443DN Ðå SiSS27DN ÐÐÑÐåÐÐåÐÐåÑÐÐÐÐÑ ÐÐÑ ÐÐÑÐÐÐÑÑÐÑÐÐÐÐ ÐÐÐÑÑÐÐÐå ÐÐÐÑÑÐÐÐÐåÐÐ 24 Ð, 19 Ð Ðå 12 Ð, Ðå ÐÐÐÐÑÐÑÐÑÑ Ðå ÐÐÑÐÑÐÐÐÑÑ ÐÑÐÐÑÑÐÑÐÐÐÐ Ð ÑÐåÑÐÐÐÐ ÐÐåÐÐÐÐÐÐÐ ÐÑÐåÐÐÐÐÐÐåÐ, ÐÐÐÑÑÐÑ ÑÐÑÐÐÐÐÐÐåÐ ÐÐåÑÐÐÐåÐÐ Ð ÐÐÑÐÐÐÑÐÑÑ ÐÐÐÐÑÑÑÐÑÐÑ, ÑÐÐÑÑÑÐÐÐÑ Ðå ÐÐÐÐÑÐÑÐÑ. ÐÑÐÐÑÑÐÐÐÐÐ-ÐÐåÐÐÐÐ ÑÐÐÑÐÑÐåÐÐÐÐÐåÐ Ð ÐÑÐÑÑÑÐÐ ÑÐÑÑÐÑÐÐåÐå ÐÐÐÐÐÐÑÐÑ ÑÐÐÑÐÐÐÑÑÐåÐÐÐ ÐÐÑÑÐåÑÑ ÐÐåÐÐÐÐÐ ÐÐÐÐÐÐåÑ ÐÐÐÑÑÐÐÐÐåÑ Ð ÑÐÐÐåÑ ÑÑÐÐÐÑ Ðå ÑÐÐÐÐÑÑÐÑÐÑ ÐÐÐÐÐ ÑÑÑÐÐÑÐåÐÐÐÐÑ ÐåÑÐÐÐÑÐÐÐÐÐÐåÑ ÐÐåÑÐÐÐåÑ Ðå ÐÐÐåÑÐÐÑÐÐÐÑ ÐÑÐÐÐÐÐå ÑÐÐÐÑÑ ÐÑ ÐÐÑÐÑÐÐ. ÐÐÑ ÐÑÐåÐÐÐÐÐÐåÐ, ÑÑÐÐÑÑÑÐåÑ ÐÐÐÐÐ ÐÑÑÐÐÐåÑ ÐÐÐÑÐÐÐåÐ ÐÐÐÑÑÐÐÐÐåÑ, -40 Ð SiS443DN ÐÐÐÑÐÐÑÐåÐÐÐÑ ÐÐÐÑÐåÐÐÐÑÐÐÐ ÑÐÐÑÐÑÐåÐÐÐÐÐåÐ Ð ÐÑÐÑÑÑÐÐ ÑÐÑÑÐÑÐÐåÐå ÐÐÐÐåÑÐåÐÐÐ 11.7 ÐÐÐ (-10 Ð) Ðå 16 ÐÐÐ (-4.5 Ð) Ð ÐÐÑÐÑÑÐ PowerPAK 1212-8 ÑÐÐÐÐÑÐÐ 3.3 ÐÐ ÐÐ 3.3 ÐÐ. ÐÐÐÐÐ ÐÐÐÐåÑÐåÐÐ ÑÐÐÑÐÑÐåÐÐÐÐÐåÑ Ð ÐÑÐÑÑÑÐÐ ÑÐÑÑÐÑÐÐåÐå ÑÐÐÑÐÑÑÑ ÐÑÐåÑÐåÑÐÑÐ ÐÐÑÐÐÐÑÑÐÐ, SiSS27DN ÐÑÐÐÐÐÐÐÐÑ ÐÐåÐÐÐåÐ ÐÐÐÑÐÐÐåÑ 5.6 ÐÐÐ (-10 Ð) Ðå 9 ÐÐÐ (-4.5 Ð) Ð ÐÐÑÐÑÑÐ PowerPAK 1212-8S Ñ ÐÐåÐÐÐåÐ ÐÑÐÑÐåÐÐÐ ÐÐÐÐåÑÐåÐÐÐ 0.75 ÐÐ. SiS443DN Ðå SiSS27DN ÐÐÐÐÐÑÑÑÑ ÐÑÐÑÐÐå ÑÐÑÑÑ Rg Ðå UIS. MOSFET-ÑÑÐÐÐÐåÑÑÐÑÑ ÑÐÐÑÑÑÑÑ ÐÐÐÐÐÐÐÐÐÐÐÐÑÐÐå Ð ÑÐÐÑÐÐÑÑÑÐÐåÐå ÑÐ ÑÑÐÐÐÐÑÑÐÐ JEDEC JS709A Ðå ÑÐÐÐÐÐÑÐÐÑÑÑÑ ÐÐåÑÐÐÑÐåÐÐ RoHS Directive 2011/65/EU. Ð ÐÐÑÑÐÑÑÐÐ ÐÑÐÐÑ ÐÐÑÑÑÐÐÑ ÐÐÑÐÐÑÑ Ðå ÐÑÐÐåÐÐÐÐÑÑÐÐÐÐÑÐ ÐÐÑÑÐåÐå ÐÐÐÑÑ p-ÐÐÐÐÐÑÐÑÑ MOSFET-ÑÑÐÐÐÐåÑÑÐÑÐÐ, ÐÑÐÐÑ ÐÑÐÐÐÐÐÐÐåÑ ÐÐÐÐÐÐ ÑÐÑÑÐÐÐÑÐÑ 14-16 ÐÐÐÐÐÑ ÐÐÑ ÐÑÑÐÐÑÑ ÐÐÐÐÐÐÐ. Êîììåíòàðèè:Äîáàâèòü êîììåíòàðèé: |
|||
|
| ||||
|
||||