Мощные МОП-транзисторы, обеспечивающие высокую плотность тока.

    

---

<< Назад, к списку новостей    Дата: 2008-08-05

---

При площади основания на 40% меньшей, чем у стандартного корпуса SO-8 и высоте 0,7mm, семейство DirectFET 30-вольтных МОП-транзисторов обеспечивает меньшую занимаемую площадь и высокую плотность тока в конструкциях синхронных понижающих преобразователей. Модели IRF6724M, IRF6725M, IRF6726M и IRF6727M имеют обычные основания корпуса MT и MX, как и предыдущее поколение компонентов, что обеспечивает легкую смену транзисторов. Особенности серии включают в себя сопротивление в открытом состоянии равное 1,2 -5,1mOhm при10V и 1,8-8.5 mOhm при 4,5V, полный заряд затвора от 11 до 49nC и заряд затвор-сток от 3,7 до 16nC.

Источник

---

Комментарии:

Нет ни одного комментария. Ваш будет первым!

---

Добавить комментарий:

	Ваше имя:
	Комментарий:
	Защита от автозаполнения:

---

---