Портал для радиолюбителей
   Усилитель мощности К174УН4
    


К174УН4А, К174УН4Б, ТАА300

        Микросхемы служат в качестве усилителя мощности низкой частоты с выходной мощность до 1 Вт на нагрузку 4 Ом. Предназначена для применения в переносных телевизорах и радиопремнаках. Аналог микросхемы TAA300 (функциональный аналог). Содержат 32 интегральных элемента. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.9-1. Масса не более 1,5 гр.

Назначение выводов:

1 - коррекция Icc
    выходных транзисторов;
2 - обратная связь;
3 - теплоотвод;
4 - вход;
5 - фильтр;
6 - вольтодобавка;
7 - питание +Uи.п.;
8 - выход;
9 - общий - Uи.п..


Корпус ИМС К174УН4

 

 

Принципиальная схема ИМС К174УН4

 

Типовая схема включения ИМС К174УН4

 

Электрические параметры

  1     Номинальное напряжение питания   9 В ± 10%
  2   Ток потребления при Uп = 9 В, Uвх = 0 В   Ј 10 мА
  3   Коэффициент усиления при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В   4...40
  4
 
  Нестабильность коэффициента усиления напряжения при
  Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Т=+25...+55°С
  Ј 20 %
  5
 
 
  Коэффициент гармоник при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц:
  К174УН4А при Рвых = 1,0 Вт, Uвых = 2,0 В
  К174УН4Б при Рвых = 0,7 Вт, Uвых = 1,7 В
 
  Ј 2 %
  Ј 2 %
  6   Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц   і 10 кОм
  7
 
 
  Выходная мощность при Uп = 9 В, Rн = 4 Ома, Кг Ј 2 % :
  К174УН4А
  К174УН4Б
 
  1,0 Вт
  0,7 Вт
  8   Диапазон рабочих частот при Uп = 9 В   30...20 000 Гц  
  9  
 
 
  Коэффициент полезного действия при Uп = 9 В, Rн = 4 Ома:
  К174УН4А при Pвых = 1,0 Вт
  К174УН4Б при Pвых = 0,7 Вт
 
  50 %
  35 %

Предельно допустимые режимы эксплуатации

  1
 
  Напряжение питания:
  в предельном режиме:
  8,1...9,9 В
  5,4...10 В
  2
 
 
 
 
  Выходное напряжение:
  К174УН4А
  в предельном режиме
  К174УН4Б
  в предельном режиме
 
  Ј 2,0 В
  Ј 2,25 В
  Ј 1,7 В
  Ј 1,87 В
  4
 
 
 
 
  Амплитуда тока в нагрузке:
  К174УН4А
  в предельном режиме
  К174УН4Б
  в предельном режиме
 
  Ј 840 мА
  Ј 900 мА
  Ј 710 мА
  Ј 750 мА
  5
 
 
  Тепловое сопротивление:
  кристалл-корпус
  кристалл-среда
 
  60°С/Вт
  135°С/Вт
  6     Температура кристалла   +125 °С
  7     Температура окружающей среды                   -25...+55°С  

 

Общие рекомендации по применению

        При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки 235 ± 5°С, расстояние от корпуса до места пайки на более 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с. При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения напряжения питания. Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода.

        Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющие вывод 7 с источником питания, использовать только короткие провода, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.

        Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах может быть проведена изменением емкостей конденсаторов С2 и С4. Ослабление усиления на верхней граничной частоте 20кГц - не более 3 дб. Допускается регулировка коэффициента усиления напряжения с помощью изменения сопротивления резистора обратной связи R2 (в пределах 240 Ом…2,7 кОм) и емкости конденсатора С2. Допустимое значение статического потенциала 200 В.

 

Литература

Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.

Аналоговые интегральные микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /Д. И. Атаев, В. А. Болотников. - Москва: Издательство МЭИ, 1991г. 240 с., ил.



    © PavKo, 2007-2018   Обратная связь   Ссылки   Яндекс.Метрика