Портал для радиолюбителей
   Усилитель мощности К174УН5
    


К174УН5

        Микросхема представляет собой усилитель мощности с номинальной выходной мощностью 2 Вт при нагрузке 4 Ом для работы в звуковых трактах аппаратуры. Содержит 42 интегральных элемента. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.12-1 и второй вариант приведен на рисунке, масса не более 2 гр.

Назначение выводов:

1(33),12(37) - общий
2(29) - выход
4(25) - напряжение питания
5(2),8(10) - фильтр
6(12) - вход 2
7(14) - вход 1
9(6),11(22) - коррекция

(в скобках указаны номера выводов
для второго варианта корпуса)


Корпус ИМС К174УН5 (238.12-1).

 

Второй вариант корпуса ИМС К174УН5.

 

Принципиальная схема ИМС К174УН5.

Типовая схема включения ИМС К174УН5.

Электрические параметры

  1     Номинальное напряжение питания   12 В ± 10 %
  2     Ток потребления при Uп = 12 В   Ј 30 мА
  3     Коэффициент усиления при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц   80 ... 120
  4
 
  Нестабильность коэффициента усиления напряжения  
  при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц не более
 
  ± 20 %
  5
 
  Коэффициент нелинейных искажений при
  Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Pвых = 2 Вт
 
  Ј 1,0 %
  6     Входное сопротивление при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц   і 10 кОм
  7
 
  Номинальная мощность отдаваемая в нагрузку
  Rн = 4 Ома при Uп = 12 В
 
  2,0 Вт
  8     Диапазон рабочих частот по уровню 3 дБ   30 ... 20 000 Гц  

Предельно допустимые режимы эксплуатации

  1     Напряжение питания   Ј 13,2 В
  2     Максимальное напряжение синфазных сигналов   Ј 5,5 В
  3     Максимальная амплитуда выходного напряжения   Ј 1,5 В
  4     Амплитуда тока в нагрузке разового сигнала   Ј 1,45 А
  5
 
  Максимальная длительность выходного импульса
при скважности 3
  Ј 30 мС
 
  6     Активное сопротивление нагрузки   і 3,2 Ом
  7     Температура кристалла   +125 °С
  8
 
 
  Тепловое сопротивление:
кристалл-корпус
кристалл-среда
 
  20 °С/Вт
  100 °С/Вт
  9     Температура окружающей среды   -25 ... +55 °С

Общие рекомендации по применению

        Не допускается эксплуатация микросхемы в режиме, при котором два параметра имеют предельно допустимые значения.

        При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена ее защита от случайного увеличения напряжения питания. Эксплуатация микросхемы допускается только с применением теплоотвода.

        При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки при монтаже микросхемы не более 265°С, продолжительность пайки вывода не более 3 с, интервал между пайками соседних выводов - 10 с. Расстояние от корпуса до места пайки на менее 1 мм.

        При монтаже микросхемы рекомендуется предусматривать наименьшую длину выводов навесных элементов для уменьшения влияния паразитных связей. Замену микросхемы необходимо производить только при отключенном источнике питания.

Литература

Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.



    © PavKo, 2007-2018   Обратная связь   Ссылки   Яндекс.Метрика