Портал для радиолюбителей
   Усилитель мощности К174УН8
    


К174УН8

        Микросхема представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощность до 2 Вт на нагрузку 4 Ом. Содержит 30 интегральных элементов. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.9-1. Масса не более 2,0 гр.

 

Назначение выводов:

1 - коррекция Icc выходных транзисторов;
2 - обратная связь;
3 - теплоотвод;
4 - вход;
5 - фильтр;
6 - вольтодобавка;
7 - питание +Uи.п.;
8 - выход;
9 - общий -Uи.п..

 
Корпус ИМС К174УН8 (тип 201.9-1)

 

Принципиальная схема ИМС К174УН8

Типовая схема включения ИМС К174УН8

Схема включения ИМС К174УН8 с заземленной нагрузкой

 

Электрические параметры

  1     Номинальное напряжение питания   12 В ± 10%
  2     Ток потребления при Uп = 12 В, Rн = 4 Ом, Uвх = 0 В   Ј 15 мА
  3     Коэффициент усиления при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В   4…40
  4
 
  Нестабильность коэффициента усиления напряжения при
  Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Rн = 4 Ом
 
  Ј 20 %
  5
 
  Коэффициент гармоник при Uп = 12 В, Rн = 4 Ом, fвх = 1 кГц
  Uвых = 2,83 В, Рвых = 2 Вт
 
  Ј 2 %
  6     Входное сопротивление при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц   і 10 кОм
  7     Выходная мощность при Uп = 12 В, Rн = 4 Ома   Ј 2,5Вт
  8     Диапазон рабочих частот   30…20 000 Гц
  9     Коэффициент полезного действия при Pвых = 2 Вт   50 %

 

Предельно допустимые режимы эксплуатации

  1     Напряжение питания   13,2 В
  2     Амплитудное значение тока в нагрузке   1,09 А
  3     Сопротивление нагрузки   і 4 Ом
  4  
 
 
  Тепловое сопротивление:
    кристалл-корпус
    кристалл-среда
 
  60°С/Вт
  135°С/Вт
  5     Температура окружающей среды   -25...+55°С
  6     Температура кристалла   +125 °С

 

Общие рекомендации по применению

        При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки 235 ± 5 °С, расстояние от корпуса до места пайки на более 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с. При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения напряжения питания.

        Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода. Допускается включение нагрузки относительно общего вывода (с заземленной нагрузкой).

        Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющие вывод 7 с источником питания, использовать только короткие провода для соединения с навесными элементами, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.

        Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах осуществляется изменением емкостей конденсаторов С2 и С4, а во всей полосе пропускания - изменением глубины отрицательной обратной связи, регулировкой сопротивления R1 и емкостью C2.

        Допустимое значение статического потенциала 200 В.

 

Литература

Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.



    © PavKo, 2007-2018   Обратная связь   Ссылки   Яндекс.Метрика