| Портал для радиолюбителей |
Сортировать по напряжению и току + тип корпуса
Внимание! Для транзисторов с несколькими модификациями
(несколько букв, например КП707А, КП707Б, КП707В) в таблице приведены
наилучшие значения параметров из всего семейства, и для конкретного прибора
какой-то параметр может быть хуже - смотрите PDF.
Наименование
Аналог
PDF
Тип
Imax, A
Uкэmax, В
Rmin, Ом
КП150
IRFP150
n
38
100
0,055
КП250
IRFP250
n
30
200
0,085
КП302 (А1-Г1)
BFR30,2SK543-5
n
0,043
20
100
КП350
IRFP350
n
14
400
0,3
КП364 (А-И)
2SK653
n
0.02
25
КП402 (А)
BF998
p
0,15
200
20
КП403 (А)
3SK132
n
0,3
200
6
КП450
IRFP450
n
12
500
0,4
КП460
IRFP460
n
20
500
0,27
КП501(А,Б,В)
ZVN2120
n
0,18
240
10
КП502А
BSS124
n
0,12
400
28
КП504(А-Е)
BSS88
n
0,25
240
8
КП505(А-Г)
BSS295
n
1,4
60
0,3
КП507А
BSS315
p
1,1
50
0,8
КП508А
BSS92
p
0,15
240
20
КП511А,Б
TN0535
n
0,14
400
22
КП601 (А,Б)
n
0,4
20
2П701 (А,Б)
MTP3N50
n
9
500
1,2
2П703 (А,Б)
RRF623
p
12
150
0,7
КП704 (А,Б)
2SK757
n
10
200
0,2
КП705 (А-В)
APT1004
n
5,4
1000
3,3
2П706 (А-В)
2SK1248
n
20
500
0,4
КП707 (А-В)
2SK1117
n
25
750
1
КП707(А1-В1)
BUZ90
n
6
750
1
КП709(А,Б)
BUZ90A
n
4
600
2
КП723 (А-В)
IRFZ44,IRFZ45
n
50
60
0,028
КП726 (А,Б)
BUZ90
n
4,5
600
1,6
КП727 (А,Б)
IRFZ34
n
30
60
0,05
КП728 (Г1-С1)
n
3,3
700
3
КП731 (А-В)
IRF710
n
2
400
3,6
КП733 (А)
n
1,5
400
3,6
КП737 (А-В)
IRF634,IRF630
n
9
250
0,4
КП739 (А-В)
IRFZ14,IRFZ10
n
10
60
0,2
КП740 (А-В)
IRFZ24,IRFZ25
n
17
60
0,1
КП741 (А,Б)
IRFZ48
n
50
60
0,018
КП742 (А,Б)
STH75N06
n
80
60
0,012
КП743 (А-В)
IRF510,IRF512
n
5,6
100
0,54
КП743 (А1-В1)
n
5,6
100
0,54
КП744 (А-Г)
IRF520
n
9,2
100
0,27
КП745 (А-В)
IRF530
n
14
100
0,16
КП746 (А-В)
IRF540
n
28
100
0,077
КП747А
IRFP150
n
41
100
0,055
КП748 (А-В)
IRF610
n
3,3
200
1,5
КП749 (А-Г)
IRF620
n
5,2
200
0,8
КП750 (А-Г)
IRF640
n
18
200
0,18
КП751 (А-В)
IRF720
n
3,3
400
0,8
КП767 (А-В)
IRF640,IRF630
n
18
200
0,18
КП768 (А-М)
IRF730,IRF720
n
10
400
0,55
КП769 (А-Г)
IRF540,IRF530
n
28
100
0,077
КП770 (А,Д,К)
IRF840,IRF830
n
8
500
0,85
КП771 (А-Г)
STP40N10
n
40
100
0,055
КП775 (А-В)
2SK2498A
n
50
60
0,009
КП780 (А-В)
IRF820
n
2,5
500
3
КП784А
IRF9Z34
p
18
60
0,14
КП785А
IRF9540
p
19
100
0,2
КП796(А-В)
IRF9540
p
4,1
300
1
2П797Г
IRF540
n
28
100
0,077
2П7102Д
IRFZ44
n
50
60
0,028
КП7128А,Б
IRF5210
p
40
100
0,06
КП7129А
SSU1UN60
n
1,2
600
11,5
2П7140А
IRF7103
n
3
???
0,13
2П7144А
IRF9140
p
19
100
0,2
2П7145А,Б
IRF250
n
30
200
0,085
2П7160А
n
46
30
0,006
КП7173А
STP4NK60Z
n
4
600
2
КП7174А
n
18
75
0,075
КП7176А
n
80
100
0,026
КП7177 А,Б
IXFH50N20,IRF260
n
50
200
0,045
КП7178А
n
40
300
0,085
КП7180 А,Б
IRF460, IXFH24N50
n
26
500
0,2
КП7181А
n
40
500
0,14
КП7182А
IXFH20N60
n
20
500
0,35
КП7183А
OM6053SJ
n
30
600
0,83
КП7184А
IXFH15N80
n
15
800
0,6
КП7275
IXFH75N10
n
75
100
0,026
КП801 (А-Г)
n
5
65
2,2
2П802А
n
2,5
500
1,5
2П803 (А,Б)
BV2310
n
4,5
1000
4
КП804А
RFL2N05
n
1
60
0,6
КП805 (А-В)
BUZ216
n
4
600
2
КП809 (А-Е1)
BVZ90
n
9,6
800
0,3
КП810 (А-В)
DVZ216
n
7
700
0,2
КП812 (А1-В1)
IRFZ44,IRFZ34
n
50
60
0,028
КП813 (А1,Б1)
n
22
200
0,12
КП901
n
2
85
КП902
n
0,25
70
КП904
n
7,5
100
КП905
n
0,3
80
КП907
n
2,1
80
2П912 (А,Б)
n
20
100
0,1
2П914А
n
0,1
50
23
2П917 (А,Б)
n
5
300
2,5
КП921А
n
10
45
0,08
КП922 (А,Б,А1,Б1)
NTP7N05
n
10
100
0,13
2П926(А,Б)
n
16,5
450
0,1
КП931 (А-В)
NTP7N05
n
5
800
0,07
КП932А
MTP5N05
n
0,3
250
40
КП934 (А,Б)
F1053
n
10
450
0,03
2П942 (А-В)
MRF136
n
10
800
0,2
КП953 (А-Д)
F1014
n
15
800
0,05
КП954 (А-Е)
BFL545
n
20
150
0,025
КП959 (А-В)
BVK462
n
0,2
300
КП960 (А-В)
2SK659
p
0,2
300
КП961 (А-Е)
BLF242(A)
n
5
250
0,1
КП965 (А-Д)
p
5
250
0,1
КП971 А,Б
КТ847,КТ878
n
25
900
0,04
КП973 А,Б
КТ847,КТ848
n
30
700
0,03
Полевой транзистор КП302, параметры, характеристики
Полевой транзистор КП364 , характеристики, аналоги
Полевой транзистор КП402 , параметры, аналоги
Полевой транзистор КП403, параметры, аналог
Полевой транзистор с затвором на основе p-n перехода КП601
Мощный полевой транзистор КП704, характеристики
Характеристики МДП транзистора КП705
Параметры полевого транзистора КП707
МОП транзистор КП707, цоколевка, аналог
Схема полевого транзистора КП733, характеристики, параметры
Схема мощного полевого транзистора КП767, аналоги, характеристики
Схема мощного полевого транзистора КП768, аналоги, параметры
Схема мощного полевого транзистора КП769, аналоги, параметры
Схема полевого транзистора КП770, характеристики
Полевой транзистор КП801 для усилителей звуковой частоты с затвором на
основе p-n перехода
Полевой транзистор КП802 с затвором на основе p-n перехода
Полевой транзистор КП804, применение, аналоги
МДП транзистор КП805, параметры, характеристики
МДП транзистор КП809, параметры, аналог
Полевой транзистор КП810, описание, аналог
Полевой транзистор КП812, область применения, аналог
Мощный полевой транзистор КП813, типовое применение, характеристики
Полевые транзисторы , по сравнению с биполярными обладают следующими
достоинствами:
-малая мощность в цепи управления (по сути, она затрачивается лишь на заряд
суммарной емкости затвора)
-высокие скорости переключения (при правильном выборе схемы управления
транзистором)
-отсутствие вторичного пробоя
К основным недостаткам можно отнести:
- типичная взаимосвязь между максимальным допустимым напряжением полевого тр
- неприятная связь между сопротивлением открытого MOSFET транзистора и его
температурой, типично при 150 градусах на кристалле сопротивление (и потери
проводимости соответственно) будут в два с лишним раза больше, чем при 25
градусах. Сопротивление же обычно указывают именно при нормальных условиях
| © PavKo, 2007-2018 Обратная связь Ссылки |